浮置閘極的製造方法與非揮發性記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093118989

專利證號

I241690

專利獲證名稱

浮置閘極的製造方法與非揮發性記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2005/10/11

技術說明

本發明將可降低元件的操作電壓，減少穿隧氧化層的厚度，使操作速度 增快，並使記憶體的可靠性獲得改善。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址