於半導體基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列的方法Method of forming self-assembly and uniform fullerene array on surface of substrate

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/386,915

專利證號

US 8,986,782 B2

專利獲證名稱

於半導體基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列的方法Method of forming self-assembly and uniform fullerene array on surface of substrate

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2015/03/24

技術說明

本發明提供一種於光電半導體（例如鍺、矽、砷、鋁、硼、氮化矽、氧化鋅、氮化鎵、氮化硼、磷化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦、藍寶石、硫化鋅、硫化鎘..等等）基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子（例如碳二十、碳二十四、碳三十六、碳四十、碳四十二、碳四十八、碳五十、碳五十五、碳六十、碳六十二、碳六十四、碳六十八、碳七十、碳七十二、碳七十六、碳七十八、碳八十、碳八十二、碳八十四、碳九十、碳九十四、碳九十六、碳一百、碳一百零二、碳一百二十、碳一百四十、碳三百、單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、多壁奈米碳管..等等）陣列的方法 The present invention relates to a method of forming a self-assembly fullerene array on the surface of a substrate. In particular, the present invention relates to a novel method of preparing a fullerene embedded substrate capable of being used as a field emitter, and a substrate for optoelectronic devices, and high-temperature, high-power, or high-frequency electric devices.

備註

本部(收文號1110019123)同意該校111年4月1日興產字第1114300232號函申請終止維護專利(國立中興大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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