光擴散量子點奈米結構及發光二極管芯片

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201810241533.7

專利證號

3816672

專利獲證名稱

光擴散量子點奈米結構及發光二極管芯片

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2020/05/29

技術說明

本發明同時提出具有此光擴散量子點奈米結構的一新式發光二極體晶片。其中類洋蔥皮結構之多層結構之水氧阻障層亦能夠強化光擴散量子點奈米結構於發光二極體晶片之中的封裝膠體內的分散性，進而有效提升發光二極體晶片的發光強度。 This invention presents a new light-diffusion quantum dot, quantum dot nanostructure and LED chip having the same.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址