陶瓷材料之金屬半導體場效電晶體(MESFET)元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097104511

專利證號

I 360228

專利獲證名稱

陶瓷材料之金屬半導體場效電晶體(MESFET)元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

元智大學

獲證日期

2012/03/11

技術說明

目前製作MESFET (metal-semiconductor field effect transistor)電晶體元件是以III-V化合物半導體材料如GaAs為主，經 由半導體加工技術，製作出具Schottky接面組成單元的電子元件。本提案技術是應用半導體二氧化鈦(TiO2)陶瓷材料，經由離 子摻雜加工後，得到具有Schottky接面接面的同質二氧化鈦與MESFET效應的陶瓷半導體元件。製作程序首先利用溶凝膠法合成 奈米二氧化鈦（TiO2）與金屬離子摻雜之二氧化鈦粒子(MTiO2)溶液，後將奈米TiO2塗佈於基材上，再於TiO2層之上塗佈一細 窄之MTiO2 (Gate），形成一對具有 MTiO2-TiO2的Schottky接面之半導體效應，經475 oC燒結後，再於MTiO2表面鍍上金屬膜 後，即形成基本的MESFET陶瓷電晶體元件。所設計與製作出之MESFET，經由電性的量測與分析，可求得電晶體元件的基本電子 訊號。這種由陶瓷二氧化鈦材料所製成之電晶體的特性有別於以其它半導體材料製作出之元件，如耐腐蝕等特性，可擴展半導 體產品的設計與應用範圍，同時這種低成本材料與簡易加工所得之電晶體元件，可有效的降低製作成本。 The structure of MESFET consists of many units of Schottky junctions after applying semiconductor processing. In this proposal, a TiO2-based MESFET were fabricated using TiO2 and ion-doped TiO2 (MTiO2) particle solutions prepared from sol-gel processing.

備註

本部(發文號1090026300)同意貴校109年5月4日元智研字第1090000453號及函109年3月4日元智研字第1090000254號申請終止維護專利。

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