生成過渡金屬硫化物的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109126688

專利證號

I 736389

專利獲證名稱

生成過渡金屬硫化物的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2021/08/11

技術說明

使用金屬氧化物薄膜為前驅體，加上層層相疊的設置，能夠在有限的化學氣相沉積反應空間內，生長出高產率、高品質並且大面積的單原子層過渡金屬硫化物。 The use of a metal oxide film as a precursor, combined with a layered arrangement, enables the growth of high yield, high quality & large area monoatomic layer transition metal sulfides in a limited chemical vapor deposition reaction space.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址