METHOD FOR FABRICATING A VERTICAL HETEROJUNCTION OF METAL CHALCOGENIDES

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/620,840

專利證號

US 9,899,214

專利獲證名稱

METHOD FOR FABRICATING A VERTICAL HETEROJUNCTION OF METAL CHALCOGENIDES

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2018/02/20

技術說明

本發明提供一種製備金屬硫屬化物垂直異質接面的方法，包含提供複層材料、進行離子佈植步驟以及進行退火步驟。複層材料包含載板與金屬層，載板包含第一金屬元素之氧化物，金屬層包含第二金屬元素，且金屬層覆蓋載板而形成介面。進行離子佈植步驟使硫屬離子源由鄰近金屬層之一側射入複層材料，而將硫屬離子佈植於複層材料之深度區域，且深度區域包含前述介面。進行退火步驟係於介面兩側分別形成第一金屬硫屬化物與第二金屬硫屬化物。藉此，本發明製程簡單，可直接將金屬硫屬化物製作於基材上，並可大尺度合成金屬硫屬化物，有助於廣泛應用。 The present disclosure provides a method for fabricating a vertical heterojunction of metal chalcogenides. The method includes steps of providing a multi-layer material, performing an ion implantation and performing an annealing. The multi-layer material has a carrier and a metal layer, in which the metal layer covers the carrier to form an interface. The carrier includes an oxide of a first metal element, and the metal layer includes a second metal element. The step of performing the ion implantation is to inject a chalcogen ion source into the metal layer to allow a plurality of chalcogen ions to be implanted at the interface of the carrier and the metal layer. The step of performing the annealing is to form a first metal chalcogenide and a second metal chalcogenide at two sides of the interface, respectively. Thereby, the present disclosure simplifies the fabricating process so as to directly form a metal chalcogenide on a substrate. Furthermore, the present disclosure can fabricate a large-scale metal chalcogenide so as to broaden the application range.

備註

本會(收文號1120045669)同意該校112年7月13日清智財字第1129005239號函申請終止維護專利(國立清華大學)

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