發明
美國
12/245,887
US 7,710,815 B2
用於一靜態隨機存取記憶體之存取單元ACCESS UNIT FOR A STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
國立清華大學
2010/05/04
一種存取單元,用於一靜態隨機存取記憶體,該存取單元包含二反相器,利用分別提供二不同 之可變電壓給二反相器,以在二反相器間造成不平衡之電流強度,使資料可以減少寫入該靜態 隨機存取記憶體之困難度。
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