光纖製作方法及其光纖

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101140544

專利證號

I 461768

專利獲證名稱

光纖製作方法及其光纖

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/11/21

技術說明

本技術主要為使用雷射加熱方式製作具有電極的光纖。本方式主要好處為可應用於晶體光纖並且無須製作預形體。一般的光纖抽絲方法為引入電極需製作預形體，並鑽出正負電極與光纖core所需的三個孔洞，孔洞所需精度需求極高，且抽絲方式無法適用晶體光纖。而雷射加熱方式最大特性於其可適用各式晶體，將其製作為晶體光纖並同時引入電極。 本技術利用雷射加熱提拉生長系統製作具有電極之晶體光纖。實驗裝置主要為，藉由兩個凸透鏡將雷射光擴束，再進入生長腔中進行晶體成長與光纖製作。在光路中，使用一片分光鏡，將其導入功率計中用以記錄熱處理過程中雷射的功率。雷射光束進入生長腔中後，經反射將雷射光束聚焦於晶體材料頂端。生長腔之示意圖如圖一。 圖 一 生長腔裝置示意圖 本技術主要分為兩步驟： 1. 首先利用雷射光聚焦加熱使材料晶棒頂端溶解，在利用上方子晶沾附溶解之材料並拉起。藉由控制子晶拉起之速度控制晶體直徑，使晶棒直徑縮減成為晶纖，並在晶纖上下鍍上ITO作為電極。 圖 二 晶纖生長 2. 將鍍上ITO之晶纖至入HOF之中，再將HOF穿過一Sapphire tube。將Sapphire tube置入雷射加熱提拉生長法之生長腔中，利用雷射光聚焦加熱Sapphire tube使HOF內部之晶纖外側部分軟化，沾附於HOF內壁形成DCF。之後於DCF兩端鍍上ITO與內部之ITO連結形成電極。 This technology consists of two main steps: 1. The first laser light heated material the top of the crystal rod dissolved. And the use of sub-crystal buildup of dissolved materials and pulls. The consecutive reductions of diameter of the single-crystal rod were obtained by repeating LHPG process. The process of crystal growth is so-called float-zone method by CO2 laser heating in which the un-melted crystal rod itself supports the molten zone. Furthermore, a CO2 laser beam, which provides a tiny ring-like uniform and ultra-clean heat source, is used to melt the source rod. 2. After diameter-reduction runs, the crystal fiber inserted into a fused silica capillary tube. The closely filled capillary was then fused completely inside sapphire tube upon heating by CO2 laser.

備註

本部(收文號1100063797)同意該校110年10月20日中產營字第1101401226號函申請終止維護專利(中山)

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