非揮發性記憶體結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/020916

專利證號

US6667508B2

專利獲證名稱

非揮發性記憶體結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2004/12/23

技術說明

一種新式的非揮發性記憶體結構與作法，製作在p型矽基板上，具有一穿隧介電層、一浮置 閘(FG)、一介電層、與一控制閘(CG)的堆疊閘結構，該堆疊閘結構下通道(channel)的一側 有一源極，堆疊結構下通道的另一側則有一汲極。其中該源極表面包含一薄的金屬矽化物 (silicide)部份，與堆疊閘下方的通道相接，而形成一蕭特基阻障(Schottky barrier)。藉 由一斜角度植入(tilt-angle implant)，將一元素(As或P)植入基板內，以形成汲極，並使 汲極部份延伸至堆疊閘下方的通道中。在植入過程中，部份元素亦將形成在源極金屬矽化物 的下方，但因為斜角度植入之關係，該摻雜源極區與堆疊閘下方的通道有一段間距 (offset)。在編程(programming)時，將源極接地，汲極接一正電壓，閘極亦接於一正電 壓，使熱電子(hot carrier)由通道靠近源極側注入浮置閘內。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址