射頻電漿輔助脈衝雷射沉積系統及由其系統製備薄膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101103054

專利證號

I 433948

專利獲證名稱

射頻電漿輔助脈衝雷射沉積系統及由其系統製備薄膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立暨南國際大學

獲證日期

2014/04/11

技術說明

一種利用射頻電漿輔助脈衝雷射沉積系統製備薄膜之方法，包含下列步驟：製備一射頻電漿輔助脈衝雷射沉積系統，並於一第二極板上放置一基板，並將一腔體本體抽真空至一工作壓力，先啟動一射頻電源裝置，使以一輸出功率之能量輸出，且以於一第一、第二極板之間產生電漿源，再啟動一脈衝雷射裝置，以產生一雷射光束以轟擊一靶材，並讓薄膜形成於該基板上，並於一鍍膜時間後，關閉該射頻電源裝置與該脈衝雷射裝置。藉此鍍膜製程方法，可以有效地提升薄膜品質。 a film deposition apparatus and a film deposition method that can overcome the aforesaid drawbacks associated with the prior art. According to one aspect of this invention, a film deposition apparatus comprises: a chamber including a chamber wall that is formed with a window; a target holder disposed in the chamber for supporting a target; a radio frequency power device;

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處創業育成中心

連絡電話

049-2910960

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