透明導電膜之性質的改善方法及其製品METHOD FOR IMPROVING THE PROPERTIES OF THE TRANSPARENT CONDUCTING FILM AND THE PRODUCT THEREOF | 專利查詢

透明導電膜之性質的改善方法及其製品METHOD FOR IMPROVING THE PROPERTIES OF THE TRANSPARENT CONDUCTING FILM AND THE PRODUCT THEREOF


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097102341

專利證號

I 348192

專利獲證名稱

透明導電膜之性質的改善方法及其製品METHOD FOR IMPROVING THE PROPERTIES OF THE TRANSPARENT CONDUCTING FILM AND THE PRODUCT THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2011/09/01

技術說明

本發明提供一種透明導電膜之性質的改善方法,包含以下步驟:對一含有AzO100-z之組成施予含氫電漿處理,其中,A是選自Al、Zn、Sn、In、Cd、Mg、Ga、Sb,或此等之一組合,且以原子百分比計,1≦z≦50。本發明亦提供一種如前述改善方法所製得的透明導電膜,包含:一含有AxHyO100-x-y之組成,其中,A是選自Al、Zn、Sn、In、Cd、Mg、Ga、Sb,或此等之一組合,且以原子百分比計,1≦x≦50,0.5≦y≦15.0。 This invention provides a method for improving the properties of the transparent conducting film, which comprises the step of subjecting plasma treatment containing hydrogen to a composition containing AzO100-z, wherein, A is selected from Al, Zn, Sn, In, Cd, Mg, Ga, Sb, or a combination thereof, and calculated by atomic percentage, 1≦z≦50. This invention also provides a transparent conducting film made from the improving method stated above, which comprises a composition containing AxHyO100-x-y, wherein, A is selected from Al, Zn, Sn, In, Cd, Mg, Ga, Sb, or a combination thereof, and calculated by atomic percentage, 1≦x≦50, 0.5≦y≦15.0.

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811


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