微型發光二極體晶片的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108133864

專利證號

I 740212

專利獲證名稱

微型發光二極體晶片的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2021/09/21

技術說明

具金屬基板之元件越來越多，有些是因應元件特性須求，有些是因應散熱之目的，或是機械結構之需求；如第一種傳統將LEDs磊晶膜轉移至具鏡面金屬基板不僅可提昇元件亮度，亦可提供散熱路徑, 使得元件得以操做在超高功率◦另一種應用為在微型發光二極體, 可藉此金屬基板改善其機械結構, 然傳統之作法多以雷射切割達成, 若chip size小於100 um, 此雷切將因金屬基板切割會回熔而無法順利達成, 本發明有三種做法一則是在元件表面先用雷射切割一深度, 再從背面蝕刻至此深度, 即可完成, 第二種作法為在正面將元件區用材料保護, 再以化學溶液將金屬移除即可達成.第三種作法元件先製作成圖案, 且貼合至一保護膜, 背面用雙面曝光將光阻圖案製作於元件對應之背面上, 再從背面將金屬基板移.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址