雙模存取訊號控制裝置、及雙模時序訊號產生裝置Dual Mode Accessing Signal Control Apparatus and Dual Mode Timing Signal Generating Apparatus

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/403,860

專利證號

US 7,839,706 B2

專利獲證名稱

雙模存取訊號控制裝置、及雙模時序訊號產生裝置Dual Mode Accessing Signal Control Apparatus and Dual Mode Timing Signal Generating Apparatus

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2010/11/23

技術說明

本發明係關於一種雙模存取訊號控制裝置，用於一記憶體之一虛假（dummy）細胞集，以及一種雙模時序訊號產生裝置，包含一雙模存取訊號控制裝置。該雙模存取訊號控制裝置於寫入程序以及讀取程序時，分別產生一寫入延遲訊號以及一讀取訊號。藉此，該記憶體不僅具有寫入程序與讀取程序之自我時序（self-timing）之功效，且可於寫入程序時產生一具有較短寬度之字元線訊號，使預充電時序較早開始，以縮短記憶體之整體工作時間。 A dual mode accessing signal control apparatus for being used in a dummy cells set of a memory, and a dual mode timing signal generating apparatus comprising a dual mode accessing signal control apparatus are provided. The dual mode accessing signal control apparatus respectively generates a write delay signal and a read signal during write process and read process. Thereby, the memory is capable of a function of self-timing for write process and read process, and is able to generate a word-line signal with a shorter width in write process to ensure an early start of a precharge timing, thus a whole duty period of the memory can be shortened.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址