一種含唑(Azole)類錯化合物介電絕緣層之有機薄膜電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2010-054349

專利證號

特許 5226715

專利獲證名稱

一種含唑(Azole)類錯化合物介電絕緣層之有機薄膜電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/03/22

技術說明

降低有機薄膜電晶體元件製作成本與提升其元件性能是不變的研發趨勢。為了降低製作成本，除了使用溶液塗佈方式製作有機半導體層及電極層外，以溶液製程方式製作閘極介電絕緣層在有機薄膜電晶體元件發展里程上，亦是扮演著關鍵性的角色。在酸性水溶液中，唑(Azole)類化合物易在金屬表面與金屬離子起配位反應，自我組裝成長一層錯化合物薄膜。本創作係在將此金屬表面上，自我組裝成長之錯化合物薄膜，作為有機薄膜電晶體之閘極介電絕緣層。此方法可將有機薄膜電晶體製作在軟性或硬性基板上，具有製作簡易、製程溫度低、低製作成本、製程環保及可大面積化等優點，極具產業價值。

備註

本部(收文號1060012320)同意該校106年2月20日清智財字第1069001047號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址