具有低漏電流之記憶體單元

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110131058

專利證號

I 759244

專利獲證名稱

具有低漏電流之記憶體單元

專利所屬機關 (申請機關)

國立陽明交通大學

獲證日期

2022/03/21

技術說明

本發明藉由第二位元儲存節點儲存的反相資料位元與讀取位元線等電位抑制漏電流，可應用於記憶體內計算晶片設計，提升其解析度與降低功耗。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

連絡電話

網址