具有熱導基板的太陽能電池及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097107291

專利證號

I 462316

專利獲證名稱

具有熱導基板的太陽能電池及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/11/21

技術說明

本發明是具有熱導基板的太陽能電池及其製造方法，先在磊晶基材上成長能以光伏特效應產生光電流的半導體材料層，再將用於支撐半導體材料層的暫時基板可分離地固定於半導體材料層上，接著將磊晶基板與半導體材料層分開後，將熱傳導係數高的熱導基板連接及設置於半導體材料層上，最後將暫時基板移除，製得具有熱導基板的太陽能電池。這樣製得的太陽能電池藉著置換磊晶基材為具有較佳導熱能力的熱導基板，而能快速地將半導體材料層 因接受日照累積的熱或元件操作產生的熱，透過熱導基板向外界散逸，進而穩定半導體材料層的接面溫度，達到延長工作壽命及改善元件轉換效率的效果。

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

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