具奈米抗反射層之太陽能電池構造

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100126490

專利證號

I 482296

專利獲證名稱

具奈米抗反射層之太陽能電池構造

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2015/04/21

技術說明

一種太陽能電池構造包含一基板、一奈米抗反射層、一p-i-n結構層及一透明導電膜層。該基板具有一第一電極層，而該奈米抗反射層及p-i-n結構層設置於該基板上，且該透明導電膜層設置於該p-i-n結構層上，以形成一第二電極層。該奈米抗反射層用以阻止太陽光發生反射，以降低太陽光反射率，以便提升太陽能轉換效率。 為了達成上述目的，本發明之具奈米抗反射層之太陽能電池構造包含： 一基板； 一奈米抗反射層，其設置於該基板上，該奈米抗反射層提供奈米化構造； 一p層，其設置於該奈米抗反射層上； 一i層，其設置於該p層上； 一n層，其設置於該i層上；及 一透明導電膜層，其設置於該n層上； 其中該奈米抗反射層之奈米化構造用以阻止太陽光發生反射，以提升太陽能轉換效率，如第1圖所示。 本發明較佳實施例之該奈米化構造包含數個奈米柱或數個奈米管。 本發明較佳實施例之該奈米抗反射層成長於一金屬層上。 本發明較佳實施例之該奈米抗反射層係屬一氧化鋅層﹝ZnO﹞。 本發明較佳實施例之該太陽能電池可選自單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池或非晶矽太陽能電池。 A solar cell structure includes a substrate, a nano anti-reflection layer, a p-i-n structure and a transparent conductive layer. The substrate has a first electrode formed thereon. The nano anti-reflection layer and the p-i-n structure are provided on the substrate and the transparent conductive layer is provided on the p-i-n structure so as to form a second electrode. The nano anti-reflection layer is used to reduce a reflection degree of solar radiation incident so as to enhance an efficiency of solar energy conversion.

備註

本部(收文號1070007387)同意該校107年1月23日中產營字第1071400099號函申請終止維護專利(中山)

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