相變化記憶體的結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095140414

專利證號

I 316302

專利獲證名稱

相變化記憶體的結構

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2009/10/21

技術說明

一種平面環繞閘極場效電晶體及其製造方法，包括藉由氫鍛燒、高真空鍛燒或在惰性氣體下的高溫鍛燒，形成懸掛於源 極與汲極之間的圓柱型奈米線，以及形成一閘極環繞該圓柱型奈米線。

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址