發明
中華民國
103135555
I 585945
一種具有閘極化二極體的靜電放電防護元件
健行學校財團法人健行科技大學
2017/06/01
在0.18μm製程中具備高於操作電壓的保持電壓之整合矽控整流器雙極電晶體電路已經發展出來作為靜電防護之用,此電路是由含浮接P+擴散區域或浮接N+擴散區域的雙極電晶體結構,與作為觸發開關的金氧半閘極電容覆蓋於前述浮接P+/N+ 陽極或浮接N+/P+ 陰極二極體區域所構成,另外閘極進一步與電阻電容電路耦合。有關靜電防護的主要設計參數為陽極∕陰極和浮接P+∕N+擴散區域間距Lg,以及浮接P+∕N+擴散區域的寬度W,依據靜電打擊或正常操作情況以決定導通金氧半閘極電容開關與否以提早觸發逆偏浮接P+/N+或浮接N+/P+ 二極體。藉由調整此電路中金氧半閘極電容的通道長度尺寸及浮接P+∕N+擴散區域的寬度,此防護電路得到極高的靜電強健度和免除栓鎖的保持電壓。
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