Inductive Spin-Orbit Torque Device And Method For Fabricating The Same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/722,118

專利證號

US 10,217,500 B1

專利獲證名稱

Inductive Spin-Orbit Torque Device And Method For Fabricating The Same

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2019/02/26

技術說明

發明係一種感應式自旋軌道力矩元件及其製造方法，其包含以化學氣相沉積一二維薄膜，以及以濺鍍形成一鐵磁材料層於薄膜上，其中二維薄膜之晶體結構具有至少一晶面成非對稱排列，並且二維薄膜之厚度為至少一單位晶胞層，且該至少一單位晶胞層之總和為奇數，藉由二維薄膜產生之垂直磁矩以及厚度的微縮，以減少元件尺寸以及製程成本。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址