雙摻雜閃爍晶體製作方法/METHOD OF PRODUCING DOUBLE-DOPED SCINTILLATION

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/252,231

專利證號

US 10,094,048 B2

專利獲證名稱

雙摻雜閃爍晶體製作方法/METHOD OF PRODUCING DOUBLE-DOPED SCINTILLATION

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2018/10/09

技術說明

一種雙摻雜閃爍晶體製作方法，係利用柴式提拉法（Czochralski, Cz）生長一雙摻雜鈰與一鈣或一鎂元素稀土矽酸鹽單晶棒，利用摻雜鈣或鎂元素產生電荷補償效應，使其中之鈣或鎂與鈰正四價（Ce+4）發生電荷補償，以產生鈰正三價（Ce+3），形成一鈣鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒或一鎂鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒，再將其放置於一高溫設備中進行熱退火（thermal annealing）處理。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址