延伸式場效電晶體應用於鉀﹑鈉離子感測元件METHOD FOR FORMING POTASSIUM/SODIUM ION SENSING DEVICE APPLYING EXTENDED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/891,569

專利證號

US 7,164,162 B2

專利獲證名稱

延伸式場效電晶體應用於鉀﹑鈉離子感測元件METHOD FOR FORMING POTASSIUM/SODIUM ION SENSING DEVICE APPLYING EXTENDED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2007/01/16

技術說明

一種延伸式場效電晶體應用於鉀、鈉離子感測元件，係以延伸式離子 感測場效電晶體（EGFET ）作為基礎製作鉀、鈉離子感測元件，以延伸式 離子感測場效電晶體之延伸閘極為訊號截蔭電極，並固定上親水性雙亞克 力芳香聚尿酸鉀醴高分子混合陰電性添加劑、鉀、鈉離子選擇物等物質製 成鉀、鈉離子感測電極；本發明利用親水性雙亞克力芳香聚尿酸鉀醴高分 子可硬化與親水性佳之性質，固定鉀、鈉離子選擇物，製成無濾激電路、 單層離子選擇膜與訊號穩定之離子感測電極；致使本發明於樣品上量測 鉀、鈉濃度值時、可減少鉀、鈉離子選擇電極之互相干擾，使量測之值更 接近於真實值。

備註

本部(收文號1050019607)同意該校105年3月21日原產字第1050000809號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

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