金屬閘極的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092128664

專利證號

I220538

專利獲證名稱

金屬閘極的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2004/08/21

技術說明

本發明提供一種奈米多孔性半導體薄膜的製作方法。上述方法包括提供一基底並形成一氧化 層於該基底上。形成一金屬奈米點陣列於該氧化層上。進行低壓電漿化學氣相沉積，並以金 屬奈米粒子為催化劑，於該氧化層上形成半導體奈米線，以及持續進行低壓電漿化學氣相沉 積，使該等半導體奈米線持續成長且相互連結形成一奈米多孔性半導體薄膜。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址