Inspection method for multilayer semiconductor device

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

17/037,981

專利證號

US 11,313,670 B2

專利獲證名稱

Inspection method for multilayer semiconductor device

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2022/04/26

技術說明

【中文】 本發明提供一種用於多層半導體裝置的檢測方法。此檢測方法可以調查 多層半導體裝置的多層集合體，並通過利用關注材料的吸收邊緣（absorption edges）並獲得校正品質曲線來獲得多層半導體裝置中每一層的層厚度地圖 (stratigraphic thickness map, ST map)。 【英文】 An inspection method for a multilayer semiconductor device is provided. The inspection method can investigate multilayered ensembles of a multilayer semiconductor device and obtain stratigraphic thickness (ST) maps of each layer in the multilayer semiconductor device by utilizing absorption edges of materials of interests and obtaining calibration quality curves.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址