無外加磁場自旋軌道矩磁性隨機存取記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108108988

專利證號

I 704558

專利獲證名稱

無外加磁場自旋軌道矩磁性隨機存取記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2020/09/11

技術說明

一種無外加磁場自旋軌道矩磁性隨機存取記憶體，包括一自旋電流源層、一鐵磁性自由層、一反鐵磁層、一穿隧阻障層以及一鐵磁性參考層。所述自旋電流源層具有一電流方向，鐵磁性自由層則設置於所述自旋電流源層上，且所述鐵磁性自由層具有與所述電流方向垂直之磁化易軸。所述反鐵磁層設置在所述鐵磁性自由層與所述自旋電流源層之間，且所述反鐵磁層係與所述自旋電流源層以及與所述鐵磁性自由層直接接觸。所述穿隧阻障層設置於所述鐵磁性自由層上，而所述鐵磁性參考層是設置於所述穿隧阻障層上。 An external field-free spin-orbit torque magnetic random access memory includes a spin current source layer, a ferromagnetic free layer, an antiferromagnetic layer, a tunneling barrier layer, and a ferromagnetic reference layer. The spin current source layer has a current direction, the ferromagnetic free layer is disposed on the spin current source layer, and the ferromagnetic free layer has an easy axis of magnetization perpendicular to the current direction. The antiferromagnetic layer is disposed between the spin current source layer and the spin current source layer, and the antiferromagnetic layer is in direct contact with the spin current source layer and the ferromagnetic free layer. The tunneling barrier layer is disposed on the ferromagnetic free layer, and the ferromagnetic reference layer is disposed on the tunneling barrier layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址