光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法METHOD FOR PHOTO-CURING CONTACT PRINTING MICRO/NANO PATTERNS

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098137453

專利證號

I 412891

專利獲證名稱

光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法METHOD FOR PHOTO-CURING CONTACT PRINTING MICRO/NANO PATTERNS

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/10/21

技術說明

光固化式微奈米圖形接觸轉印技術主要是透過施壓後，模仁上所沉積的轉印材料層與已塗佈一感光固化性材料之基板緊密接觸後，使得轉印材料層接觸黏附或壓入黏附於此感光固化性材料，利用光照射於此一感光固化性材料後，使得感光固化性材料固化，脫模後，轉印材料層遂黏附或植入於感光固化性材料上，此時模仁上的微奈米圖形變轉印於具感光固化性材料的基板上。轉印後的轉印材料層可直接當作工業應用圖形或是為一蝕刻遮罩，經由蝕刻感光固化性材料後，利用後續蝕刻法或是舉離法(Lift Off)完成最終的圖形定義。 Photo-curing contact printing micro/nano patterns technology transferrd the metallic patterns of a mold to a photosensitive solidification material layer on a substrate. Then an illumination step is performed on the photosensitive solidification material layer to solidify the photosensitive solidification material layer and to fix the metallic patterns into the photosensitive solidification material layer. The mold is removed. A patterning step is performed on the photosensitive solidification material layer by using the metallic patterns layer as a mask until a portion of the surface of the substrate is exposed.

備註

本會(收文號1110048580)同意該校111年7月26日成大產創字第1111102285號函申請終止維護專利(國立成功大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

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