具奈米疊層透明電極之太陽電池及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100146066

專利證號

I 449192

專利獲證名稱

具奈米疊層透明電極之太陽電池及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/08/11

技術說明

採用原子層沉積等法進行光學優化之摻雜型奈米疊層透明電極製作，藉由控制組成以調變太陽電池之光電性質，使太陽電池於其吸收光譜範圍內提升光電轉換效率。採用原子層沉積等法進行光學優化之摻雜型奈米疊層透明電極製作，藉由控制組成以調變太陽電池之光電性質，使太陽電池於其吸收光譜範圍內提升光電轉換效率。採用原子層沉積等法進行光學優化之摻雜型奈米疊層透明電極製作，藉由控制組成以調變太陽電池之光電性質，使太陽電池於其吸收光譜範圍內提升光電轉換效率。 the multilayer transparent electrodes of solar cell is manufactured using atomic layer deposition. the materials of electrodes are doped to change the composition and to modulate the cell opto-electric properties. due to the doping effect the energy convention effiency increases because of the absorption spectrum ranges increase.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址