一種高反射率發光二極體晶片之製造方法Method of Manufacturing an LED

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/013,687

專利證號

US 7,569,432 B1

專利獲證名稱

一種高反射率發光二極體晶片之製造方法Method of Manufacturing an LED

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2009/08/04

技術說明

本發明是有關於一種高反射率發光二極體晶片之製造方法，尤指一種可得到良好反射率之發光二極體晶片。 按，習知的發光二極體晶片，請參閱第四圖所示，其包括有一基板(51)，該基板(51)堆疊有N型氮化鎵半導體層(52)與P型氮化鎵半導體層(53)，該N 型氮化鎵半導體層(52)與P型氮化鎵半導體層(53)間堆疊有一發光層(54)，且該N型氮化鎵半導體層(52)與P型氮化鎵半導體層(53)分別與第一電極(55)及第二電極(56)連結。

備註

本部(收文號1090063865)同意該校109年10月20日長庚大字第1090100220號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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