金屬薄膜之物理氣相沉積方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098140677

專利證號

I 394855

專利獲證名稱

金屬薄膜之物理氣相沉積方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/05/01

技術說明

本發明是利用物理氣相沉積法，利用空氣(air)與氬氣(Ar)，在電漿環境下，控制空氣與氬氣之比值，製備出金屬薄膜(metal films)，本發明能有效降低設備與製程成本，使其金屬薄膜應用更為廣泛。 以製備金屬薄膜而言，在電漿環境下，此製程之特點為: (1)背景壓力只需抽1~3分鐘的時間 (即低真空度下~1.3×10-2 Pa)，即可製備。 (2)而在通入空氣及氬氣的氣體後，控制適當的空氣/氬氣比值，所鍍著之薄膜，經 經由X光繞射儀與特性檢定，確定能成功製備出金屬薄膜。 This invention is to prepare metal films by physical vapor deposition. Using Ar and air which could prepared metal films in various air/Ar ratios. This new process could save not only material’s and equipment’s cost and exhibits more applications compared to conventional process. In this process, there are two benefits to prepare thin metal films under plasma environment. (1) It takes 1-3 min to achieve a rather high base pressure (~1.3×10-2 Pa) and then the deposition of the metal films could be prepared. (2) Using suitable air/Ar mixtures could produce the titanium films which were characterized by X-ray diffraction and properties evaluations.

備註

本部(收文號1070026132)同意該校107年4月18日興產字第1074300247號函申請終止維護專利

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