CO2雷射對矽晶圓的標記刻號技術MARKING CO2 LASER-TRANSPARENT MATERIALS BY USING ABSORPTION-MATERIAL-ASSISTED LASER PROCESSING

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/839,186

專利證號

US 8,557,715 B2

專利獲證名稱

CO2雷射對矽晶圓的標記刻號技術MARKING CO2 LASER-TRANSPARENT MATERIALS BY USING ABSORPTION-MATERIAL-ASSISTED LASER PROCESSING

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/10/15

技術說明

本發明係關於一種矽材料或矽晶圓標記之方法，包括一CO2雷射系統、承載試片之機構、玻璃或塗覆金屬膜的基材及矽材料或矽晶圓試片。一般在半導體積體電路的製造過程中，常會使用雷射光束在晶圓上刻劃記號，包括晶圓代號(wafer id)、產品批號(lot number)、產品型號、廠商商標及製造日期等，目前產業以飛秒雷射、準分子雷射或Nd:YAG雷射為主，但此類雷射非常昂貴且因為光束強烈的轟擊晶圓表面，往往會有飛散潑濺碎片及大量應力的產生而影響良率。因此，為了改善上述缺點，本發明提出以廉價的CO2雷射搭配一片玻璃或鍍上金屬的玻璃，來突破以往CO2雷射無法加工標記矽晶圓的刻板印象，其富有標記速度快、可靠性高、低成本、製程簡化且低能量等優點，故不會有潑濺碎片及應力的產生，可有效減少污染及提升良率。 In this invention, a novel approach to the marking or numbering of silicon wafer using CO2 laser has been demonstrated. The wavelength of CO2 laser is 10.64 μm and not absorbed by silicon material. So, it cannot do any machining for pure silicon. However, as we put a silicon on the top of the glass material or metal-coated substrate, CO2 laser can mark or number the silicon wafer. For example, a silicon marking can be obtained by CO2 laser at a power of 21 W and a scanning speed of 5 mm/sec. In comparison with conventional Nd:YAG or excimer laser for silicon marking, CO2 laser marked Si wafer is a easy fast technology at low cost for the application of microelectronics, package, optoelectronics, communication or micro devices.

備註

本部(收文號1090031211)同意該校109年5月29日成大技轉字第1095600304號函申請終止維護專利(成大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址