具規則排列中孔洞結構的釔安定氧化鋯的製造方法及其產物

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094131829

專利證號

I 333480

專利獲證名稱

具規則排列中孔洞結構的釔安定氧化鋯的製造方法及其產物

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2010/11/21

技術說明

規則排列中孔洞釔安定氧化鋯具有高比面積、孔徑大小一致、具有奈米晶粒及熱穩定性佳等 優點，可應用於感測器、催化、固態氧化物燃料電池等領域。製備中孔洞規則排列所使用之 界面活性劑種類繁多，已往多以離子型界面活性劑為主，本技術利用三嵌段聚環氧乙烯-聚環 氧丙烯-聚環氧乙烯非離子型共聚合物為界面活性劑，藉由適當溫度及濕度處理使界面活性劑 呈規則排列，並控制後續煆燒氣氛及升溫速率，合成出具規則中孔洞釔安定氧化鋯。 Highly ordered mesoporous yttrium-doped zirconia has several advantages, such as high specific surface area, narrow pore size distribution, high thermal stability etc, which can be applied on sensor, catalyst, and solid-state oxide fuel cell (SOFC) etc. There are several kinds of surfactants were used to prepare the ordered mesoporous materials, especially for ionic surfactant. In this patent, the non-ionic surfactant tri-block copolymer was successfully used to prepare the ordered mesoporous YSZ. The precursor was treatment at constant humidity and temperature to control the meso-pore structure. The calcination atmosphere and heating rate was well controlled to remain the mesoporous structure.

備註

本部(收文號1030091075)同意該校103年12月25日成大研總字第1034500872號函申請終止維護專利(成大)

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