短通道複晶矽薄膜電晶體及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109118190

專利證號

I 759751

專利獲證名稱

短通道複晶矽薄膜電晶體及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2022/04/01

技術說明

本申請案將提出“短通道複晶矽薄膜電晶體結構設計與特性改善之研究”，擬提出一高電流低漏電之複晶矽薄膜電晶體的短通道結構設計。由於材料與大尺寸的玻璃基板無第四端基極端的結構，薄膜電晶體難以達到短通道結構的設計。本申請案利用垂直式功率元件溝槽內分離閘極電位與周遭氧化層厚度與通道濃度搭配的載子平衡結構來設計出短通道複晶矽薄膜電晶體。此結構應用於短通道薄膜電晶體上可以有效具備短通道的優點並解決傳統短通道元件巨大漏電流及其他不理想效應造成的無法應用問題。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址