具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201110428953.4

專利證號

ZL 201110428953.4

專利獲證名稱

具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2015/06/17

技術說明

在製作光電元件時所選用適合作為磊晶的基板，往往卻有例如傳熱能力不佳或無導電能力等缺點，因此為了同時兼顧光電元件磊晶層的磊晶品質，在製造磊晶層的過程中，常見的一道製程是將該基板移除剝離，以利磊晶層的性能提昇。本發明為一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx ，其中0.5≦x≦3.5，而後，於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層，利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能，而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱，因此該氧化鎵犧牲層容易被移除，提高整體製程效率。 An epitaxial structure, comprising: a temporary substrate; a first sacrificial layer formed on said temporary substrate, and made of gallium oxide; and an epitaxial layer unit epitaxially grown over an upper surface of said first sacrificial layer opposite to said temporary substrate; wherein said epitaxial structure further comprises a second sacrificial layer disposed on one of said upper surface and a lower surface of said first sacrificial layer such that said epitaxial layer unit is epitaxially grown over said first and second sacrificial layers; and wherein said second sacrificial layer is made of a material selected from a nitride that has an atomic percentage of nitrogen greater than 20%, and a silicide that has an atomic percentage of silicon greater than 30%.

備註

本部(收文號1090023163)同意該校109年4月20日興產字第1094300209號函申請終止維護專利(中興)

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