磁控濺鍍機、其磁環組件及控制方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102100278

專利證號

I 519664

專利獲證名稱

磁控濺鍍機、其磁環組件及控制方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/02/01

技術說明

本技術透過有限元素分析軟體計算出電磁場分布，並結合三維運動方程式來估測電子移動的軌跡及範圍，進而模擬出電漿的分布情形，並以電腦模擬濺射起的靶材原子在腔體內與電漿之碰撞過程，再對最終抵達基材表面之靶材原子進行均勻度分析。藉由額外加入鐵環及補償磁鐵可以有效的改變腔體內部磁場的分布，進而調控電漿濃度及分布範圍，間接提升基材塗布均勻度，使之達到精進的目標。 本技術提出的改良法不只對基材整體之均勻度獲得改善，另可做更多元的運用及分析。這樣的發現不僅對現存的市售直流磁控系統提供了良好的改善方案，更使往後開發其濺鍍系統的設計上增添更多變化的空間。 Based on detailed calculations by 3-D finite element analysis software, the distributions of both electric and magnetic fields inside the magnetron sputter can be first evaluated. By combining these field information with the 3-D kinetic motion characteristics of electrons, the moving trajectories of those electrons can be precisely predicted. Hence, the collision and deposition processes of sputtered target atoms with those Argon ions in the plasma can be properly emulated. The proposed iron ring and compensation permanent magnet can be properly arranged to control the system operational magnetic field distributions and hence adjust the plasma. Consequently the uniformity and the smoothness of the deposited substrate can be enhanced. In addition, the proposed system framework can supply a more flexible system operational environment to fit different applications and inlet/outlet structures of magnetron sputters.

備註

本部(收文號1070078646)同意該校107年11月6日中產營字第1071401170號函申請申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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