以準分子雷射照射處理提升氧化銦錫薄膜表面功函數之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093123145

專利證號

I237934

專利獲證名稱

以準分子雷射照射處理提升氧化銦錫薄膜表面功函數之方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2005/08/11

技術說明

一種以準分子雷射照射處理提升氧化銦錫薄膜表面功函數之方法，其係以準分子雷射照射氧 化銦錫薄膜表面，以增加其表面功函數，而準分子雷射光之強度範圍係介於數十至數百 mJ/cm2、頻率範圍為0-100Hz，照射時間為伍分鐘至數十小時，俾以提升氧化銦錫薄佛表面之 功函數

備註

本部(收文號1070041206)同意該校107年6月20逢產字第1070016142號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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