金屬氧化物半導體裝置及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098100728

專利證號

I 392093

專利獲證名稱

金屬氧化物半導體裝置及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/04/01

技術說明

1. 應用SOI基板製作本架構可提高元件積集密度及減化製程，使造價便宜，而具競爭性 2. 應用SOI技術，本架構能有效的降低元件寄生電容和漏電流 3. SCEs能有效的降低，元件可持續微縮，亦能達到大量生產之目的 4. 新架構的多電極特性，使得元件能更好，冄可以有更多元性應用 5. 專利中所提到的覆蓋式閘極，可以達到元件的完全自我對準　 6. 元件使用的光罩數較傳統的來的少，另外可以藉由改變光罩的圖案來決定單一元件中汲極或是源極的數量 7. 多重汲極/源極的架構，其一顆電晶體應用在記憶體方面，就可以有類似單一元件具有多bits的電性表現，將這個特性用於記憶體元件中可以大幅度的減少面積 8. NONE

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址