垂直堆疊型互補式薄膜電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110145689

專利證號

I 805116

專利獲證名稱

垂直堆疊型互補式薄膜電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立陽明交通大學

獲證日期

2023/06/11

技術說明

一種垂直堆疊型互補式薄膜電晶體，包含一基板、一第一型薄膜結構、一閘極結構，及一第二型薄膜結構。該第一型薄膜結構包括一通道層、一第一源極，及一第一汲極。該閘極結構包括一共用閘極，及一包覆該共用閘極的高介電常數閘極絕緣層。該第二型薄膜結構包括一主動層、一第二源極，及一第二汲極，該主動層設置在該高介電常數閘極絕緣層上且由氧化銦基材料所構成。This invention provides a vertically-stacked complementary thin film transistor, which includes a substrate, a first type thin film structure, a gate structure, and a second type thin film structure. The first type thin film structure comprises a channel layer, a first source and a first drain. The gate structure comprises a common gate and a high K gate insulator that covered the common gate. The second type thin film structure comprises an active layer, a second source, and a second drain. The active layer is composed of indium oxide-based materials and disposed on the high K gate insulator.

備註

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