磊晶薄膜的製造方法與磊晶薄膜Manufacturing method of epitaxial film and epitaxial film

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109136658

專利證號

I 735358

專利獲證名稱

磊晶薄膜的製造方法與磊晶薄膜Manufacturing method of epitaxial film and epitaxial film

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2021/08/01

技術說明

本發明建立了精準控制材料側向磊晶的方法，藉由側向磊晶的控制，藉以改變材料之間的側向磊晶關係，調控材料系統的物理性質。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址