玻璃微流體晶片之製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091123979

專利證號

I 199932

專利獲證名稱

玻璃微流體晶片之製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2004/04/11

技術說明

本發明利用微機電製程技術，提出一種製作成本低廉、製作時程短、 可應用於玻璃基材上卻又不失可靠性的製程技術，用於製作各式微流 體晶片。本發明之製程改以簡單之光阻做為玻璃蝕刻罩幕，不僅不需 要昂貴耗時之薄膜沈積製程，且可快速以標準光刻程序定義蝕刻圖 案，並獲得良好之蝕刻結果。為使光阻罩幕能長時間抵擋蝕刻液之侵 蝕，本製程對於適當控制光阻之厚度，並採用一特殊之烘烤程序，以 降低光阻層與玻璃基板間之殘留熱應力，因而附著良好，並以得獲得 幾何形狀定義良好之蝕刻結果。此外，本製程發展一全新蝕刻程序， 使得玻璃蝕刻速率加快，達到每分鐘一微米，且可得到平滑的蝕刻表 面。在晶片接合技術上，本製程利用熱熔融接合法封裝玻璃晶片，該 接合技術不需複雜之升降溫程序，並在六小時之內完成玻璃晶片接 合。該方法不僅可獲得材料性質一致之晶片，且利用此法接合之晶片 所得到的接合強度，為所有方法中最為優異者，因此晶可承受巨大之 外加壓力，而不至分離或洩漏。本製程可用於製作各式微流體晶片， 如毛細管電泳晶片、微流體細胞技術器、連續進樣晶片系統以及PCR reactor等元件，用於各種微流體或生醫檢測應用。 This invention describes a fast, low-cost but reliable process for fabrication of microfluidic systems on soda-lime glass substrates. Instead of using expensive metal or polisilicon/nitride layer as etch mask, a thin layer of AZ 4620 positive photoresist (PR) is used for buffered oxide etching (BOE) of soda-lime glass. A novel process prolongs the survival time of the PR mask in the etchant, which avoids serious peeling problems of the PR.........

備註

本部(收文號1030032705)同意該校103年5月7日1034500281號函申請終止維護專利(成大) 為了系統規則多填I

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址