氮化物奈米材料之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100109892

專利證號

I 496735

專利獲證名稱

氮化物奈米材料之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/08/21

技術說明

本發明係有關於一種氮化物奈米材料之製備方法，其包括：提供一第一前驅物及一第二前驅物，其中該第一前驅物為一過渡金屬前驅物、一IIIA族元素前驅物、一IVA族元素前驅物或其混合，而該第二前驅物為一含氮芳香族化合物；以及加熱使該第一前驅物與該第二前驅物反應形成氮化物奈米材料。據此，本發明提供一種製程較為簡單、無毒、應用範圍較廣泛且製作成本較低廉之氮化物奈米材料製備方法。由於本發明所製備的氮化物具有高表面積特性，使其於光、電、化學等催化領域有極高的應用價值。 The present invention relates to a method for preparing nanocrystalline nitride materials, including: providing a first precursor and a second precursor, in which the first precursor is a transition metal precursor, a group IIIA precursor, a group IVA precursor or a mixture thereof, and a second precursor is a nitrogen-containing aromatic compound; and reacting the first precursor with the second precursor by heating to form a nanocrystalline nitride material. Accordingly, the present invention provides a simpler, nontoxic, more widely applied and low-cost method for preparing nanocrystalline nitride materials.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址