Method for preparing znse thin films by Ion-assisted continuous wave CO2 laser deposition

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

09/565,473

專利證號

US 6,503,578 B1

專利獲證名稱

Method for preparing znse thin films by Ion-assisted continuous wave CO2 laser deposition

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/01/07

技術說明

本發明主要揭示一種連續式二氧化碳雷射及離子輔助系統，於基板上蒸鍍成長硒化鋅薄膜之方法，以製造光學多層膜及抗反射鍍膜，該製造方法適用於石英玻璃及砷化鎵基板，硒化化鋅(ZnSe)基板，或是藍寶石基板，並且在此等基板上成長硒化鋅薄膜、氮化鎵薄膜．運用本發明之連續式二氧化碳雷射及離子輔助系統，於基板上蒸鍍成長硒化鋅薄膜之方法，製造之光學多層膜及抗反射鍍膜，可作為藍光發光元件。本發明係以連續式二氧化碳雷射照射由多晶顆粒狀硒化鋅(99.99%)壓成的靶材，加熱後蒸鍍於砷化鎵(100)和石英玻璃基板上，並以氬離子束輔助成長。 ELECTROSPINNING EQUIPMENT AND THE METHOD THEREON

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址