晶圓構造及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095122235

專利證號

I 299183

專利獲證名稱

晶圓構造及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/07/21

技術說明

近年來具應變通道的電晶體在研究上越來越受到重視，主要是由於電晶體尺寸的微縮受到了微 影技術的限制，為了提升電晶體的效能，應變矽結構引此產生，主要是因為採用應變矽結構可 以有效提升載子遷移率（mobility）。早期的研究是利用矽/矽化鍺的異質接面，主要是藉由 矽與鍺間的晶格不匹配來造成矽的形變，由於矽的晶格常數較鍺小，所以當矽沈積於矽化鍺上 時，矽晶格需受到一雙軸拉伸應力（biaxial tensile stress）才能與鍺結合，藉此便可得到 應變矽結構，而電晶體的性能也因此而提升。但許多的研究指出在很大的垂直電場下，載子遷 移率的增量幾乎為零，而且要將矽化鍺融入積體電路裡，在製程上勢必要做一些改變。再者， 由於矽與鍺的散熱速率不同，當此結構做成元件時，會因這項差異造成元件的不穩定性。雖然 應變矽仍存在許多有待克服的困難，但這項技術已成為未來積體電路的一個新趨勢。

備註

本部(收文號1050019735)同意該校105年3月21日中產營字第1051400266號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址