金屬化合物奈米管陣列之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103137120

專利證號

I 562956

專利獲證名稱

金屬化合物奈米管陣列之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2016/12/21

技術說明

在本發明中，我們提出了一種新的設計和製造方法可在單晶矽基材上製備出準直排列，尺寸和位置可控制之金屬矽化物奈米管陣列。此方法結合了氣體電漿調制自組裝奈米球微影術、Au金屬輔助催化蝕刻、傾斜角金屬薄膜蒸鍍、退火熱處理、選擇性濕式蝕刻等製程。此所提出之的新穎製程完全不需使用昂貴機台設備，也不需經過複雜的半導體微影步驟，可望成為一種有效的奈米製備技術以在各式矽基基板上製備出不同種類、準直排列之金屬矽化物奈米元件。 In this invention, we propose a new design and fabrication method to fabricate vertically-aligned, size- and position-controlled silicide nanotube arrays on single-crystalline Si substrates, which is based on the plasma modified nanosphere lithography in conjunction with the Au-assisted catalytic etching, oblique-angle thin-film deposition, heat treatment, and selective etching processes. The proposed new approach promises to offer an effective patterning method for fabrication of vertical metal silicide-based nanodevices on various Si-based substrates without complex lithography.

備註

本會(收文號1120044177)同意該校112年7月10日中大研產字第112140070號函申請終止維護專利(國立中央大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址