利用晶圓接合方式剝離無遮罩層懸浮生長之氮化鎵磊晶層製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093113526

專利證號

I 233635

專利獲證名稱

利用晶圓接合方式剝離無遮罩層懸浮生長之氮化鎵磊晶層製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/06/01

技術說明

利用晶圓接合方法剝離無遮罩層懸浮生長之氮化鎵磊晶層製造方法

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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