原子層氧化及還原的材料修飾製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104123565

專利證號

I 564425

專利獲證名稱

原子層氧化及還原的材料修飾製程

專利所屬機關 (申請機關)

元智大學

獲證日期

2017/01/01

技術說明

本發明係利用原子層沉積(ALD)機台改變製程以原子層氧化(ALO)及原子層還原(ALR)取代傳統ALD製程，利用不同氧化或是還原氣氛，在不同的反應圈數下，將基材逐漸地以化學氧化或是化學還原進行表面修飾，以達到控制基材表面導電率以及半導體特性的目的。本發明以石墨烯表面修飾為例，以ALO及ALR技術準確調控石墨烯表面之導電率與能隙(Band Gap)大小。本發明的製程簡單，亦可大幅降低反應時間及製作成本。與傳統半導體熱擴散參雜以及昂貴的離子植入技術相比，本發明不需要繁雜的熱擴散設備以及設備成本，亦無廢棄物處理問題，可達到簡化製程、提高工作效率的功效。 In this research, using modified atomic layer deposition (ALD) instrument to develop new process. Create new atomic layer oxidation (ALO) and atomic layer reduction (ALR) to replace traditional ALD process. By controlling oxidation and reduction of ambience, and cycles of reaction, the process can modify substrate surface, so that the process can control the conductivity of substrate. For example for this research, by using ALO and ALR techniques to control the conductivity and band gap. The process of this invention is very simple. The invention is compared with traditional semi-conductive process, it do not need complex and expansive instrument, it also no industrial waste treatment problem. This invention can improve the efficacy of Simplify the process and working efficiency.

備註

本部(發文號1090061362)同意貴校109年9月30日元智研字第1090001106號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

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