半導體元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101111864

專利證號

I 436424

專利獲證名稱

半導體元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/05/01

技術說明

一種半導體元件及其製造方法，其中半導體元件的製造方法包括以下步驟。於一基板上形成一半導體層，其中半導體層具有一頂面以及一相對頂面之底面。底面與基板接觸，而頂面有多個孔洞，且孔洞由頂面往底面延伸。製備一溶液，其中溶液包括多個奈米顆粒。使奈米顆粒填充於孔洞中。在填充奈米顆粒於孔洞中之後，於半導體層上形成一電極層。此技術可以用於氮化鎵或氧化鋅系列材料之發光二極體之製作用，以奈米顆粒填入缺陷所產生之凹洞可降低漏電流，進行提昇元件效率。 A semiconductor device and fabrication method thereof are provided, wherein the fabrication method of the semiconductor device includes the following steps. A semiconductor layer is formed on a substrate, wherein the semiconductor layer has a top surface and a bottom surface opposite to the top surface. The bottom surface has a plurality of pits and the pits extend from the top surface to the bottom surface. A solution is prepared, wherein the solution includes a plurality of nano-particles. The nano-particles are filled into the pits. An electrode layer is formed on the semiconductor layer after the nano-particles are filled into the pits.

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址