低功率高速度靜態隨機存取記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092119494

專利證號

I 282551

專利獲證名稱

低功率高速度靜態隨機存取記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2007/06/11

技術說明

本發明係關於一用具有不同臨界電壓（thereshold voltage, Vth）之兩種電晶體，來 構成靜態隨機存取記憶體（SRAM）單元，其中，真有低臨界電壓之電晶體作為位元線 驅動元件，以及具有高臨界壓之電晶體作為儲存資料元件。雙臨界電壓之各自優點被 充分利用，可達到同時降低存取時間及推持資料之效果。本發明之另一特徵為字元線 間加背對背相接之二極體，使字元線在被製動（disable）後得以迅速降低震盪之振 幅，使不必要之耗電減少。因此，本發明之靜態隨機存取記憶體之低功率與高速讀寫 操作可以達成。

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址