具二氧化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100134245

專利證號

I 501234

專利獲證名稱

具二氧化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2015/09/21

技術說明

一種具二氧化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造包含一基板及一金屬-絕緣-金屬結構層。該金屬-絕緣-金屬結構層形成於該基板上。該金屬-絕緣層-金屬結構層包含：一下金屬層、一二氧化矽絕緣層及一上金屬層。該下金屬層形成於該基板上，而該二氧化矽絕緣層形成於該下金屬層上，且該二氧化矽絕緣層提供可變電阻特性。該上金屬層則形成於該二氧化矽絕緣層上，以形成一RRAM單元。 本發明較佳實施例之具二氧化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造可製成非揮發性記憶體或其它半導體元件，但其並非用以限定本發明之範圍。本發明較佳實施例之電阻式隨機存取記憶體構造採用二氧化矽材料製成一可變電阻絕緣層但其並非用以限定本發明之範圍。 A RRAM structure includes a substrate and a MIM layer formed thereon. The MIM layer includes a lower metal layer, a silicon oxide insulation layer and an upper metal layer. The lower metal layer is formed on the substrate and the silicon oxide insulation layer is further formed on the lower metal layer. The silicon oxide insulation layer provides a resistance-variable characteristic. The upper metal layer is formed on the silicon oxide insulation layer so as to form a RRAM unit.

備註

本部(收文號1100028412)同意該校110年5月19日中產營字第1101400528號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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