利用蝕刻矽基版表面提高元件發光效率之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/396,448

專利證號

US6,905,977B2

專利獲證名稱

利用蝕刻矽基版表面提高元件發光效率之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2005/06/14

技術說明

利用化學蝕刻矽基板表面提高發光效率之金氧矽結構 技術

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址