具有多個控制閘極的快閃記憶體與快閃記憶體陣列裝置flash memory with multiple control gates and flash memory array device made thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107143152

專利證號

I 664715

專利獲證名稱

具有多個控制閘極的快閃記憶體與快閃記憶體陣列裝置flash memory with multiple control gates and flash memory array device made thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2019/07/01

技術說明

一種非揮發型（快閃）半導體記憶體元件，應用於類神經網路電路陣列。此新型之記憶體元件具有獨立操控之雙閘極之結構，改良傳統快閃記憶體元件，將單位面積儲存資訊加倍。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址